全球最快半导体电荷存储技术发布 破晓引领未来计算

摘要： 复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室及芯片与系统前沿技术研究院科研团队发布了一项半导体电荷存储技术，每秒可执行25亿次操作，是目前全球最快的半导体电荷存储技术。...

复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室及芯片与系统前沿技术研究院科研团队发布了一项半导体电荷存储技术，每秒可执行25亿次操作，是目前全球最快的半导体电荷存储技术。这一成果已在国际知名学术期刊《自然》发表。

该存储器被命名为“破晓”，大小只有1平方厘米，外观和普通存储器无异。通过创新的物理机制，“破晓”将存储器擦写速度提升到400皮秒实现一次擦或写，相当于一万亿分之一秒。这一速度比传统闪存快一百万倍。研究员刘春森表示，这一速度的提升极具突破性，打破了现有存储技术框架的理论瓶颈。

团队科研人员提出了全新的提速思路，不仅实现了速度上的巨大突破，而且这种新型存储器在掉电的情况下数据也不会丢失。据科研团队主要负责人介绍，这一全新成果距离转化为商业应用并不遥远，团队已经与生产厂家合作进行了流片验证，未来这一技术有望在人工智能计算等方面发挥重要作用。

专家指出，人工智能大模型的计算主要依赖GPU显卡芯片，目前主流的商用GPU芯片已经可以实现每秒33.5万亿次浮点运算，但与之配套的存储器的写入或擦除速度仍停留在微秒级别。“破晓”存储器的能力正好可以应对GPU芯片高速运算的需求。为了早日实现成果转化，复旦大学科研团队在研发过程中就与生产企业深度合作。目前已进行流片验证，并取得初步成果。下一步，计划将其尝试集成到现有的手机和电脑中，以解决现有存储技术带来的卡顿发热等问题。